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  • MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用與MOS管極的測(cè)試步驟
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-09-02 18:31:37
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    MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用與MOS管極的測(cè)試步驟
    在電源電路中,功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻,幾歐姆到幾十歐姆不等,那么這個(gè)電阻用什么作用呢?
    MOS管串聯(lián)電阻,電壓驅(qū)動(dòng)器,串聯(lián)
    如上圖開(kāi)關(guān)電源,G串聯(lián)電阻R13。這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用:限制G極電流,抑制振蕩。
    限制G極電流
    MOS管是由電壓驅(qū)動(dòng)的,是以G級(jí)電流很小,但是因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?,在MOS管打開(kāi)或關(guān)閉的時(shí)候,因?yàn)橐獙?duì)電容進(jìn)行充電,所有瞬間電流還是比較大的。特別是在開(kāi)關(guān)電源中,MOS管頻繁的開(kāi)啟和關(guān)閉,那么就要更要考慮這個(gè)帶來(lái)的影響了。
    MOS管串聯(lián)電阻,電壓驅(qū)動(dòng)器,串聯(lián)
    如上圖,MOS管的寄生電容有三個(gè),Cgs,Cgd,Cds
    一般在MOS管規(guī)格書(shū)中,一般會(huì)標(biāo)下面三個(gè)參數(shù):Ciss,Coss,Crss,他們與寄生電容的關(guān)系如下:
    Ciss=Cgs+Cgd
    Coss=Cds+Cgd
    Crss=Cgd
    如以MOS管FDS2582為例:
    MOS管串聯(lián)電阻,電壓驅(qū)動(dòng)器,串聯(lián)
    Ciss=1290pF,可以看到,這個(gè)寄生電容是很可觀的。
    簡(jiǎn)單估算一下,假設(shè)Vgs=10V,dt=Tr(上升時(shí)間)=20ns ,Ciss=1290pF,那么可得G極在開(kāi)關(guān)時(shí)的瞬間電流I=Ciss*dVgs/dt =0.6A。
    在基極串聯(lián)一個(gè)電阻,與Ciss形成一個(gè)RC充放電電路,可以減小瞬間電流值,不至于損毀MOS管的驅(qū)動(dòng)芯片。
    因?yàn)樵黾拥倪@個(gè)電阻,會(huì)減緩MOS管的開(kāi)啟與通斷時(shí)間,增加損耗,所以不能接太大。這也是為什么電阻是幾歐姆或者幾十歐姆的原因所在。
    抑制振蕩
    MOS管串聯(lián)電阻,電壓驅(qū)動(dòng)器,串聯(lián)
    MOS管接入電路,也會(huì)有引線產(chǎn)生的寄生電感的存在,與寄生電容一起,形成LC振蕩電路。對(duì)于開(kāi)關(guān)方波波形,是有很多頻率成分存在的,那么很可能與諧振頻率相同或者相近,形成串聯(lián)諧振電路。串聯(lián)一個(gè)電阻,可以減小振蕩電路的Q值,是振蕩快速衰減,不至于引起電路故障。
    MOS管G極、S極、D極測(cè)試步驟
    測(cè)試步驟:
    MOS管的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。
    其步驟如下:
    假如有阻值沒(méi)被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象。
    1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開(kāi),萬(wàn)用表紅黑筆不變,假如移開(kāi)電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)限大,則MOS管漏電,不變則完好。
    2、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來(lái),假如指針立刻返回?zé)o限大,則MOS完好。
    3、把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,好的表針指示應(yīng)該是無(wú)限大。
    4、用一只100KΩ-200KΩ的電阻連在柵極和漏極上,然后把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,這時(shí)表針指示的值一般是0,這時(shí)是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻對(duì)MOS管的柵極充電,產(chǎn)生柵極電場(chǎng),因?yàn)殡妶?chǎng)產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通,故萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)的角度大,放電性越好。
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