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  • 晶體管的結構,類型與電流放大作用介紹
    • 發(fā)布時間:2024-10-18 21:39:41
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    晶體管的結構,類型與電流放大作用介紹
    晶體三極管又稱晶體管、雙極型晶體管;
    在晶體管中有兩類不同的載流子參與導電。
    一、晶體管的結構和類型
    晶體管的結構
    在同一個硅片上制造出三個摻雜區(qū)域,并形成兩個PN結,就形成三極管。
    晶體管結構 類型 電流放大作用
    2.晶體管的類型
    基極為P的稱為NPN型,基極為N的稱為PNP型。
    晶體管結構 類型 電流放大作用
    二、晶體管的電流放大作用
    晶體管的放大狀態(tài)的外部條件:發(fā)射結正偏且集電結反偏。
    發(fā)射結正偏:發(fā)射區(qū)的載流子可以擴散到基區(qū)
    集電結反偏:基區(qū)的非平衡少子(從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)的載流子)可以漂移到集電區(qū)。
    如果發(fā)射結正偏,集電結也正偏,出現(xiàn)的情況將是發(fā)射區(qū)的載流子擴散到基區(qū),同時集電區(qū)的載流子也漂移到基區(qū)。
    晶體管結構 類型 電流放大作用
    1.晶體管內部載流子運動
    晶體管結構 類型 電流放大作用
    ①發(fā)射結正偏:發(fā)射區(qū)載流子向基區(qū)擴散,基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)漂移
    晶體管結構 類型 電流放大作用
    ②集電極反偏,非平衡少子運動:從發(fā)射區(qū)過來的載流子到達基區(qū)后,稱為非平衡少子(基區(qū)是P帶正電,載流子是電子,所以是非平衡少子; 基區(qū)空穴雖然是多子,但是數量比較少),一方面與基區(qū)的空穴復合(少量); 另一方面,由于集電極反偏,會產生非平衡少子的漂移運動,非平衡少子從基區(qū)漂移到集電極,從而產生漂移電流。 由于集電極面積非常大,所以可以產生比較大的漂移電流(到達基區(qū)的載流子,由于集電極反偏,所以對基區(qū)的非平衡少子有吸引,集電極帶正電,非平衡少子帶負電)
    晶體管結構 類型 電流放大作用
    ③集電極反偏,少子漂移電流:由于集電結反偏,處于基區(qū)的少子(電子)會漂移運到到集電區(qū); 集電區(qū)的少子(空穴)會漂移運動到基區(qū)
    晶體管結構 類型 電流放大作用
    2.晶體管中的電流分關系
    晶體管結構 類型 電流放大作用
    三、共射電路放大系數
    直流放大系數:放大系數:Ic=(1+β)IB
    晶體管結構 類型 電流放大作用
    晶體管結構 類型 電流放大作用
    2.交流放大系數:直流電流放大系數可以代替交流電流放大系數
    晶體管結構 類型 電流放大作用
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