MOSFET和IGBT是目前應(yīng)用最廣泛的兩種功率半導(dǎo)體器件。隨著智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源行業(yè)的快速發(fā)展，大功率MOSFET和IGBT等新型MOS管的作用越來越受重視，以IGBT為代表的快充技術(shù)更被視作未來十年的發(fā)展趨勢。
大功率MOSFET是市場主流
今天，大功率MOSFET已成為功率組件的主流，在市場上居于主導(dǎo)地位。以計算機為首之電子裝置對輕、薄、短、小化以及高機能化的要求帶動大功率MOS管的發(fā)展。尤其是低耐壓大功率MOSFET，隨者其母體MOS IC集成度的提高而性能大增。
大功率MOSFET的MOS閘極（GATE）四周圍繞的絕緣膜（材質(zhì)通常為SiO2）的質(zhì)量決定其特性及可靠度。隨著手提型計算器及計算機等之迅速普及，為了節(jié)省消耗功率而延長電池之使用時間，性能稍差但省電的MOS IC成為時代之寵兒。同時，導(dǎo)入先進(jìn)IC微細(xì)加工技術(shù)之后使得大功率MOS管器件性能大幅提高。
大功率MOSFET是第一個進(jìn)入市場的MOS器件。隨著電池驅(qū)動型便攜式設(shè)備的迅速發(fā)展，大功率MOSFET的角色扮演著十分重要。不過，在經(jīng)受高耐壓后，大功率MOSFET的功率損失迅速增加。一般來說，市電供電交流電源所使用的大功率MOSFET的耐壓必須高達(dá)500~1000V左右，在此高壓領(lǐng)域內(nèi)，其理論功率損失較雙極（BIPOLAR）型大功率組件還要大。如果加大MOS管組件的芯片尺寸，雖然能降低功率損失，但同時也會增加成本。
IGBT效率遠(yuǎn)高于大功率MOSFET
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是由BJT(雙極型三極管)和MOS管組成的復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點，特別是600V以上應(yīng)用中的功率損失相當(dāng)?shù)汀?/div>
和大功率MOSFET相比，IGBT屬于雙極組件，雖然可以通過工藝技術(shù)提高BJT的性能，但無法從根本上解決BJT的電荷存儲時間（STORAGE TIME）問題。也就是說，BJT在關(guān)閉時需耗費較長時間，不適合高速切換的應(yīng)用，但完全滿足市電供電的應(yīng)用，例如驅(qū)動馬達(dá)等，其效率也遠(yuǎn)比大功率MOSFET高。
雖然大功率IGBT快充技術(shù)才是趨勢，目前大多數(shù)充電樁企業(yè)使用MOSFET作為開關(guān)電源模塊的核心器件。從MOS管參數(shù)看，要實現(xiàn)1000V以上、350A以上的大功率直流快充，一般廠家都會采用高壓MOS管。
由于MOSFET和IGBT產(chǎn)品種類繁多，應(yīng)用中要根據(jù)數(shù)據(jù)表和測量參數(shù)，配合具體應(yīng)用方案選擇產(chǎn)品，還要考慮動力電池、充電樁、電動汽車整車、電網(wǎng)等整體技術(shù)和設(shè)計要求。
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