MOS英文全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體，描寫了集成電路中的構(gòu)造，即：在必然構(gòu)造的半導(dǎo)體器材上，加上二氧化硅和金屬，構(gòu)成柵極。這兩種型態(tài)的構(gòu)造沒(méi)有太大的差異，僅僅耗盡型MOS一開(kāi)始在Drain-Source的通道上就有載子，所以即便在VGS為零的情況下，
供應(yīng)應(yīng)設(shè)計(jì)者一種高速度、高功率、高電壓、與高增益的元件。有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極能夠交流運(yùn)用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。
能在很小電流和很低電壓的條件下功課，而且它的制造技能能夠很方便地把許多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因而場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的運(yùn)用。它作用特征:開(kāi)關(guān)速度快、高頻任性能好，輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)異、無(wú)二次擊穿標(biāo)題、全功課區(qū)寬、功課線性度高等等，其最主要的利益就是能夠減少體積巨細(xì)與分量，
MOS又分為兩種，一種為耗盡型（DepletionMOS），另一種為增強(qiáng)型（EnhancementMOS）。
耗盡型MOS仍能夠?qū)ǖ摹?MOS管的source和drain是能夠?qū)φ{(diào)的，都是在P型backgate中構(gòu)成的N型區(qū)。
MOS管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。
由于場(chǎng)效應(yīng)管拓展器的輸入阻抗很高，因而耦合電容能夠容量較小，不必運(yùn)用電解電容器。在各類中小功率開(kāi)關(guān)電路中運(yùn)用極為廣泛，能夠用作可變電阻也可運(yùn)用于拓展。
且MOS場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗十分適協(xié)作阻抗變換。能夠方便地用作恒流源也能夠用作電子開(kāi)關(guān)。常用于多級(jí)拓展器的輸入級(jí)作阻抗變換。而增強(qiáng)型MOS則必須在其VGS大於某一特定值才調(diào)導(dǎo)通。
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