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    IRLML6402場效應(yīng)管參數(shù)-MOS管IRLML6402

    發(fā)布時間:2020-09-23 23:34:15
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    產(chǎn)品概述
    IRLML6402場效應(yīng)管參數(shù)
    烜芯微生產(chǎn)貼片IRLML6402場效應(yīng)管,提供IRLML6402場效應(yīng)管規(guī)格書參數(shù),IRLML6402MOS管資料與IRLML6402場效應(yīng)管的作用
    IRLML6402場效應(yīng)管參數(shù)具體如下:
    極性:NPN
    Power Dissipation(w)功耗:540mW
    Continuous Drain Current ID(A)持續(xù)漏極電流:1.2A
    Drain-Source Voltage VDS(V)漏源極電壓:20V
    Gate-Source Voltage VGS(V)柵源電壓:±12V
    Junction and Storage Temperature Range :結(jié)和儲存溫度范圍:-55 to 150℃
    IRLML6402場效應(yīng)管,SOT-23封裝尺寸:
    黑膠長:最高值3.0mm,最低值2.8mm
    黑膠寬:最高值1.4mm,最低值1.2mm
    總寬:最高值2.55mm,最低值2.25mm
    高:最高值1.0mm,最低值0.9mm
    總高:最高值1.1mm,最低值0.9mm
    IRLML6402
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