延時(shí)電路
延時(shí)電路一般用在對(duì)于上電時(shí)序有要求的電路以及負(fù)載開(kāi)始（上電時(shí)）較大的電路而言。
負(fù)載重例如較大的電解電容。
針對(duì)于時(shí)序控制我們就叫做延時(shí)電路；
針對(duì)負(fù)載電流控制電路也可以叫緩沖電路。
如下所示：
上述電路分析：
1）當(dāng)左端VCC上電時(shí)，由于C1通過(guò)R1充電（電容兩端電壓不能突變），導(dǎo)致R1兩端電壓為高電平，此時(shí)MOS管閾值電壓尚未達(dá)到，所以MOS管為關(guān)閉狀態(tài)。
2）等到C1逐漸充電完成，R1兩端電壓逐漸下降到0，此時(shí)滿足閾值電壓，此時(shí)MOS管開(kāi)啟，后級(jí)電路通電。
R2的作用是下電時(shí)對(duì)于電容進(jìn)行放電以及完成MOS管G極電壓的設(shè)置。
這個(gè)電路可以滿足對(duì)于上電有要求的電路；也可以滿足防止突然上電，導(dǎo)致后面負(fù)載燒壞的反應(yīng)。同時(shí)可以減小后級(jí)負(fù)載太大，導(dǎo)致前端電壓被拉低，造成系統(tǒng)出現(xiàn)故障。
當(dāng)然還有如下改進(jìn)版：
以上電路從原理上來(lái)講和前面的是一致的，可以用來(lái)延遲上電，解決負(fù)載過(guò)大的問(wèn)題；但是先進(jìn)之處在于增加了下面的三極管，此時(shí)MOS的開(kāi)啟和關(guān)斷受控，更合適我們的負(fù)載控制及延遲上電。
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