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二極管、三極管、MOS管、橋堆

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MSB30G整流橋,MSB30G整流橋參數(shù),MSB30G規(guī)格書封裝
  • 發(fā)布時(shí)間:2023-05-26 15:02:03
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MSB30G
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MSB30G整流橋參數(shù)具體如下:
MSB30G
Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM最大重復(fù)峰值反向電壓:400V
Maximum DC blocking voltage VDC最大直流阻斷電壓:400V
Maximum average forward rectified current IF(AV) 最大平均正向整流電流:3A
Maximum instantaneous forward voltage drop per birdge element at 3.0A VF 3.0A時(shí)最大瞬間正向壓降:1.1V
Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IRRM VRM=VRRM 最大直流反向電流,每個(gè)二極管的額定直流阻斷電壓:5uA
Operating temperature range TJ 工作溫度范圍:-55 to +150°C
storage temperature range TSTG 儲(chǔ)存溫度范圍:-55 to +150°C
MSB30G整流橋堆封裝,UMSB封裝尺寸:
MSB30G
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QQ:709211280
 
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