MOS管不同于三極管，它屬于電壓控制型器件，但是實(shí)際上MOS管在從關(guān)斷到導(dǎo)通的過程中，也是需要電流的，這是因?yàn)镸OS管各極之間存在寄生電容Cgd，Cgs以及Cds。
MOS管的規(guī)格書參數(shù)對(duì)應(yīng)：
Cgd=Crss；
Cds=Coss-Crss；
Cgs=Ciss-Crss
首先MOS管的導(dǎo)通條件，是Vgs電壓至少需要達(dá)到閾值電壓Vgs(th)，它通過柵極電荷對(duì)Cgs電容進(jìn)行充電。當(dāng)MOS管完全導(dǎo)通后就不需要提供電流了。
那么，MOS管具體的開通過程是怎樣的呢？
一般分為四個(gè)階段
T1階段：
驅(qū)動(dòng)開通脈沖通過mos管的柵-源極對(duì)輸入電容Cgs充電，開啟時(shí)Vgs電壓=閾值電壓Vth，在此之前，mos管處于關(guān)斷狀態(tài)。此時(shí)只有很小的電流經(jīng)過mos管，Vds的電壓Vdd保持不變
T2階段:
當(dāng)Vgs電壓達(dá)到閾值電壓Vth時(shí)，電流ID開始流過漏極，Vgs電壓繼續(xù)上升，電流也逐漸上升。這時(shí)的Vds電壓依舊保持Vdd不變。
當(dāng)Vds電壓到達(dá)米勒平臺(tái)電壓Vgp時(shí)，電流ID上升到負(fù)載電流的最大值ID，這時(shí)，Vds電壓開始從Vdd下降。
T3階段：
現(xiàn)在就到了重要的米勒平臺(tái)了。
米勒期間電流ID保持負(fù)載ID不變，Vds電壓不斷降低。米勒平臺(tái)的高度受負(fù)載電流的影響，當(dāng)負(fù)載電流越大，電流ID到達(dá)的時(shí)間就越長(zhǎng)，也就導(dǎo)致了更高的米勒平臺(tái)電壓Vgp。
T4階段：
當(dāng)米勒平臺(tái)結(jié)束時(shí)，Vgs電壓繼續(xù)降低，但此時(shí)它降低的幅度很小。最后穩(wěn)定。
一般在米勒平臺(tái)結(jié)束以后，可以認(rèn)為mos管基本已經(jīng)導(dǎo)通。
為什么會(huì)造成彌勒平臺(tái)？
因?yàn)镸OS開通時(shí)，Vd＞Vg，Vgd先通過MOS管放電，再反向充電，奪取了給Cgs充電的電流，造成Vgs電壓不變，所以造成米勒平臺(tái)。也就是說，如果想要減少開通損耗，就要盡可能的減少米勒平臺(tái)的時(shí)間。
這是MOS管的開通過程了，下期我們來(lái)講mos管的關(guān)斷過程。
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