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實(shí)用的過欠壓防反接多功能保護(hù)電路介紹
2022-04-07
實(shí)用的過欠壓防反接多功能保護(hù)電路介紹在電網(wǎng)中，由于大功率負(fù)載關(guān)閉等動(dòng)作，會(huì)導(dǎo)致供電電網(wǎng)電壓產(chǎn)生很高的過壓浪涌，這可能造成設(shè)備因?yàn)檩?
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幾種負(fù)電壓電源設(shè)計(jì)方案詳解
2022-04-07
幾種負(fù)電壓電源設(shè)計(jì)方案詳解在設(shè)計(jì)電路時(shí)，我們可能會(huì)遇到需要負(fù)電壓供電的系統(tǒng)，例如使用負(fù)電壓為IGBT提供關(guān)斷負(fù)電壓、運(yùn)放系統(tǒng)中用正負(fù)對(duì)
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怎么提高隔離式電源的效率
2022-04-07
怎么提高隔離式電源的效率在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中，使用有源開關(guān)而非肖特基二極管是標(biāo)準(zhǔn)做法。這樣能大大提高轉(zhuǎn)換效率，尤其是產(chǎn)生
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正確對(duì)比了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
2022-04-06
正確對(duì)比了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì)，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC
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SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路與導(dǎo)通/關(guān)斷動(dòng)作詳解
2022-04-06
SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路與導(dǎo)通 關(guān)斷動(dòng)作詳解SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的
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SiC MOSFET低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)Gate-Source間電壓的動(dòng)作介紹
2022-04-06
SiC MOSFET低邊開關(guān)導(dǎo)通時(shí)Gate-Source間電壓的動(dòng)作介紹當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，首先ID會(huì)變化（下述波形示意圖T1）。此時(shí)LS的ID沿增加方
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MOSFET-自動(dòng)平衡超級(jí)電容器泄漏的最佳選擇介紹
2022-04-05
MOSFET-自動(dòng)平衡超級(jí)電容器泄漏的最佳選擇介紹MOSFET可降低超級(jí)電容器的工作偏置電壓，平衡電路的功耗，并可以根據(jù)溫度、時(shí)間和環(huán)境變化而
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MOSFET驅(qū)動(dòng)器增加數(shù)字電源控制器性能可靠性介紹
2022-04-05
MOSFET驅(qū)動(dòng)器增加數(shù)字電源控制器性能可靠性介紹電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào)，以便以
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高速應(yīng)用中使用JFET輸入放大器的優(yōu)勢(shì)詳解
2022-04-05
高速應(yīng)用中使用JFET輸入放大器的優(yōu)勢(shì)詳解電壓反饋放大器可根據(jù)器件中的晶體管類型進(jìn)行分類：雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）或是結(jié)型場(chǎng)效
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使用MOSFET與額外的肖特基二極管減少干擾解析
2022-04-04
使用MOSFET與額外的肖特基二極管減少干擾解析在負(fù)載點(diǎn)（POL）降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域，同步變化的高邊和低邊有源開關(guān)已被廣泛使用。圖1顯示了具有理
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ON狀態(tài)下的MOSFET與三極管有何區(qū)別介紹
2022-04-04
ON狀態(tài)下的MOSFET與三極管有何區(qū)別介紹MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應(yīng)用的非常廣泛的一種場(chǎng)效晶體管。一般是金屬(metal)—氧化物(
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正確理解驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)速度詳解
2022-04-04
正確理解驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)速度詳解測(cè)試對(duì)比以下通過實(shí)測(cè)兩款芯片SLM2184S和IR2184S的性能來說明驅(qū)動(dòng)電流建立時(shí)間對(duì)驅(qū)動(dòng)速度的影響。表格1對(duì)比