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MOS電容器工作原理介紹
2020-11-23
MOS電容器工作原理介紹MOS電容器工作原理：電荷的收集MOS電容器是所有MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)中最簡單的，它是CCD的構(gòu)成基礎(chǔ);弄清楚這
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MOS管知識(shí)|MOS管功率損耗怎么測試
2020-11-23
MOS管知識(shí)|MOS管功率損耗怎么測試MOS管功率損耗如何測試功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時(shí)輸出較大的電壓
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MOS管結(jié)構(gòu)|MOS管的IVcure解析介紹
2020-11-23
MOS管結(jié)構(gòu)|MOS管的IVcure解析介紹MOS管的結(jié)構(gòu)以N溝道橫向MOS管為例，其結(jié)構(gòu)如下圖所示，在P型半導(dǎo)體表面有一層薄膜氧化膜，氧化膜上再鍍一
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詳解MOS管的米勒效應(yīng),圖文詳解
2020-11-23
詳解MOS管的米勒效應(yīng),圖文詳解MOS管的米勒效應(yīng)如下是一個(gè)NMOS的開關(guān)電路，階躍信號(hào)VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電
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MOS管開關(guān)頻率-分析MOS管開關(guān)頻率測算的問題
2020-11-23
MOS管開關(guān)頻率-分析MOS管開關(guān)頻率測算的問題MOS管開關(guān)頻率測算MOS管在導(dǎo)通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS管兩端的電壓有一個(gè)下降
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功率MOS管參數(shù)-Vdss的溫度特性詳情分析
2020-11-23
功率MOS管參數(shù)-Vdss的溫度特性詳情分析功率MOS管參數(shù)-Vdss溫度特性分析由圖可知MOSFET-Vdss耐壓隨溫度升高而增加。 為什么MSOFET的VDS耐壓
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MOS管燒壞的原因-分析MOS管為什么會(huì)被燒毀
2020-11-23
MOS管燒壞的原因-分析MOS管為什么會(huì)被燒毀MOS管在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)
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逆變器mos管發(fā)熱嚴(yán)重有四個(gè)原因與如何解決
2020-11-21
逆變器mos管發(fā)熱嚴(yán)重有四個(gè)原因與如何解決逆變器mos管發(fā)熱嚴(yán)重的原因逆變器的場效應(yīng)管工作于開關(guān)狀態(tài)，并且流過管子的電流很大，若管子選型
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MOS管損壞原因-MOS管損壞最常見有五種與分析
2020-11-21
MOS管損壞原因-MOS管損壞最常見有五種與分析MOS管損壞原因最常見有五種第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓
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MOS管開關(guān)電路圖(八款MOS管開關(guān)電路圖設(shè)計(jì)?)介紹
2020-11-21
MOS管開關(guān)電路圖(八款MOS管開關(guān)電路圖設(shè)計(jì))介紹MOS管開關(guān)電路圖方式MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增
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MOS管與三極管區(qū)別-分析MOS管和三極管原理圖對(duì)比
2020-11-21
MOS管與三極管區(qū)別-分析MOS管和三極管原理圖對(duì)比MOS管和三極管原理圖對(duì)比分析在電路設(shè)計(jì)當(dāng)中假設(shè)我們想要對(duì)電流中止控制，那就少不了三極管
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保護(hù)板MOS管燒壞-保護(hù)板MOS測試裂開或燒毀原因介紹
2020-11-21
保護(hù)板MOS管燒壞-保護(hù)板MOS測試裂開或燒毀原因介紹一、鋰電池保護(hù)板MOS管測試過程中裂開是否會(huì)燒毀鋰電池保護(hù)板測試時(shí)MOS管裂開不會(huì)燒毀，